DH030N03P Todos los transistores

 

DH030N03P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH030N03P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 392 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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DH030N03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  cn wxdh
 dh030n03p.pdf pdf_icon

DH030N03P

DH030N03P96A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 3.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI =96 AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

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History: FHP130N10A | FXN0303D | 2SJ472-01S | RJK0348DSP | NCE65NF068 | IRFSL4115 | HAT1048R

 

 
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