DH030N03P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH030N03P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 392 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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DH030N03P datasheet

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DH030N03P

DH030N03P 96A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 3.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I =96 A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

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