DH030N03P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH030N03P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для DH030N03P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH030N03P даташит

 ..1. Size:663K  cn wxdh
 dh030n03p.pdf pdf_icon

DH030N03P

DH030N03P 96A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 3.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I =96 A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие IGBT... DH100P30AD, DH100P30AE, DH100P30AF, DH100P30AI, DH100P30C, DH100P30CB, DH100P30CD, DH100P30CE, IRF840, DH033N03, DH033N03B, DH033N03D, DH033N03E, DH033N03F, DH033N03I, DH033N03R, DH033N04