Справочник MOSFET. DH030N03P

 

DH030N03P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH030N03P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 392 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DH030N03P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH030N03P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  cn wxdh
 dh030n03p.pdf pdf_icon

DH030N03P

DH030N03P96A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 3.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI =96 AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... DH100P30AD , DH100P30AE , DH100P30AF , DH100P30AI , DH100P30C , DH100P30CB , DH100P30CD , DH100P30CE , IRF840 , DH033N03 , DH033N03B , DH033N03D , DH033N03E , DH033N03F , DH033N03I , DH033N03R , DH033N04 .

History: IXFH30N40Q | TMPF9N50S | PHB191NQ06LT | FDS7088N7 | ELM32403LA | AM7632N

 

 
Back to Top

 


 
.