DH116N08E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH116N08E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: TO263

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DH116N08E datasheet

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DH116N08E

DH116N08/DH116N08F/DH116N08I/ DH116N08E/DH116N08B/DH116N08D 49A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 11.6m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 49A D 2 Features Low on resi

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