Справочник MOSFET. DH116N08E

 

DH116N08E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH116N08E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH116N08E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH116N08E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1376K  cn wxdh
 dh116n08 dh116n08f dh116n08i dh116n08e dh116n08b dh116n08d.pdf pdf_icon

DH116N08E

DH116N08/DH116N08F/DH116N08I/DH116N08E/DH116N08B/DH116N08D49A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 11.6mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 49AD2 Features Low on resi

Другие MOSFET... DH100P35F , DH100P35I , DH100P40 , DH10H035R , DH10H037R , DH116N08 , DH116N08B , DH116N08D , IRF1010E , DH116N08F , DH116N08I , ZM019N03N , DH045N04 , DH045N04B , DH045N04D , DH045N04E , DH045N04F .

History: SRC65R032FB | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | RHP030N03T100 | AM5931P | IRFP9133

 

 
Back to Top

 


 
.