ZM019N03N Todos los transistores

 

ZM019N03N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZM019N03N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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ZM019N03N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1127K  cn zmj
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ZM019N03N

ZM019N03N ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM019N03N combines advanced trench V =30V DSMOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON)R =1.7m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =115A D Features Advance hi

Otros transistores... DH10H035R , DH10H037R , DH116N08 , DH116N08B , DH116N08D , DH116N08E , DH116N08F , DH116N08I , AO3401 , DH045N04 , DH045N04B , DH045N04D , DH045N04E , DH045N04F , DH045N04I , DH045N04P , DH045N06 .

History: 2N4393C1D | IRF5M3205 | 2N4416AC1B | IRF520S

 

 
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