ZM019N03N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZM019N03N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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ZM019N03N datasheet

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ZM019N03N

ZM019N03N ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM019N03N combines advanced trench V =30V DS MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON) R =1.7m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =115A D Features Advance hi

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