ZM019N03N - аналоги и даташиты транзистора

 

ZM019N03N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ZM019N03N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для ZM019N03N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZM019N03N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1127K  cn zmj
 zm019n03n.pdf pdf_icon

ZM019N03N

ZM019N03N ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM019N03N combines advanced trench V =30V DSMOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON)R =1.7m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =115A D Features Advance hi

Другие MOSFET... DH10H035R , DH10H037R , DH116N08 , DH116N08B , DH116N08D , DH116N08E , DH116N08F , DH116N08I , AO3401 , DH045N04 , DH045N04B , DH045N04D , DH045N04E , DH045N04F , DH045N04I , DH045N04P , DH045N06 .

History: IPP65R125C7 | IRF520S | SPB11N60C3 | IRF5M3205 | 2N4416AC1B | 2N4393C1D

 

 
Back to Top

 


 
.