ZM019N03N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZM019N03N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для ZM019N03N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZM019N03N даташит

 ..1. Size:1127K  cn zmj
 zm019n03n.pdf pdf_icon

ZM019N03N

ZM019N03N ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM019N03N combines advanced trench V =30V DS MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON) R =1.7m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =115A D Features Advance hi

Другие IGBT... DH10H035R, DH10H037R, DH116N08, DH116N08B, DH116N08D, DH116N08E, DH116N08F, DH116N08I, AO3401, DH045N04, DH045N04B, DH045N04D, DH045N04E, DH045N04F, DH045N04I, DH045N04P, DH045N06