DHE50N06FZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHE50N06FZC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO263

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DHE50N06FZC datasheet

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DHE50N06FZC

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DHE50N06FZC

DH50N15/DHF50N15/ DHI50N15/DHE50N15 50A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets. used 2 D V = 150V DSS advanced trench process technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the R = 18m DS(on) (Type) G RoHS standard. 1 I = 50A 3 S D 2 Features Low on resistance Low

Otros transistores... DH045N06B, DH045N06D, DH045N06E, DH045N06F, DH045N06I, DH060N03R, DH060N07B, DH060N07D, AON7506, DHE50N15, DHE8004, DHE80N08B22, DHE8290, DHE85N08, DHE90N045R, DHE90N055R, DHE9Z24