DHE50N06FZC - аналоги и даташиты транзистора

 

DHE50N06FZC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHE50N06FZC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHE50N06FZC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE50N06FZC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHE50N06FZC

DH50N06FZC/DHF50N06FZC/DHI50N06FZC/DHE50N06FZC/DHB50N06FZC/DHD50N06FZC50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used2 DVDSS = 60Vadvanced trench technology design, provided excellentRDSON and low gate charge. Which accords with theRDS = 18m(on) (TYP)GRoHS standard.1ID = 50A3 S2 Features Fast Switching

 8.1. Size:1399K  cn wxdh
 dh50n15 dhf50n15 dhi50n15 dhe50n15.pdf pdf_icon

DHE50N06FZC

DH50N15/DHF50N15/DHI50N15/DHE50N1550A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets. used2 DV = 150VDSSadvanced trench process technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with theR = 18mDS(on) (Type)GRoHS standard.1I = 50A3 S D2 Features Low on resistance Low

Другие MOSFET... DH045N06B , DH045N06D , DH045N06E , DH045N06F , DH045N06I , DH060N03R , DH060N07B , DH060N07D , 2N7002 , DHE50N15 , DHE8004 , DHE80N08B22 , DHE8290 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 .

History: IRFR3706 | SIHFU220 | DMN25D0UFA | SIHFU420A | SIHFBC40LC | DHE80N08B22 | AM9410N

 

 
Back to Top

 


 
.