DHE8290 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHE8290
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de DHE8290 MOSFET
DHE8290 Datasheet (PDF)
dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf

DH8290/DHF8290/DHI8290/DHE8290/DHB8290/DHD829070A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 82VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 9.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 70AD3 S2 Features Fast switching Hig
Otros transistores... DH045N06I , DH060N03R , DH060N07B , DH060N07D , DHE50N06FZC , DHE50N15 , DHE8004 , DHE80N08B22 , IRFP450 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 , DHEZ24B31 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
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