DHE8290 - аналоги и даташиты транзистора

 

DHE8290 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHE8290
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHE8290

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE8290 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1259K  cn wxdh
 dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf pdf_icon

DHE8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/DHE8290/DHB8290/DHD829070A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 82VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 9.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 70AD3 S2 Features Fast switching Hig

Другие MOSFET... DH045N06I , DH060N03R , DH060N07B , DH060N07D , DHE50N06FZC , DHE50N15 , DHE8004 , DHE80N08B22 , P60NF06 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 , DHEZ24B31 .

History: SQ3419EEV | BSC030N03MS | 8N60KL-TF2-T | IPD034N06N3G | IRF7105Q | OSG95R1K2PF

 

 
Back to Top

 


 
.