DHE8290. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DHE8290

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для DHE8290

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE8290 даташит

 ..1. Size:1259K  cn wxdh
 dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf pdf_icon

DHE8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/ DHE8290/DHB8290/DHD8290 70A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 82V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 9.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Hig

Другие IGBT... DH045N06I, DH060N03R, DH060N07B, DH060N07D, DHE50N06FZC, DHE50N15, DHE8004, DHE80N08B22, AO4407, DHE85N08, DHE90N045R, DHE90N055R, DHE9Z24, DHESJ11N65, DHESJ13N65, DHESJ17N65, DHEZ24B31