DHE85N08 Todos los transistores

 

DHE85N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHE85N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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DHE85N08 Datasheet (PDF)

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 dh85n08 dhf85n08 dhi85n08 dhe85n08.pdf pdf_icon

DHE85N08

DH85N08/DHF85N08/DHI85N08/DHE85N08100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistance Low gate ch

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History: APT30M36LFLL | SSM4407GM | SQ4470EY | IRF9530NPBF | IRFM254 | RJK0353DPA | SQ2362ES

 

 
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