DHE85N08 - аналоги и даташиты транзистора

 

DHE85N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHE85N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHE85N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE85N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dh85n08 dhf85n08 dhi85n08 dhe85n08.pdf pdf_icon

DHE85N08

DH85N08/DHF85N08/DHI85N08/DHE85N08100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistance Low gate ch

Другие MOSFET... DH060N03R , DH060N07B , DH060N07D , DHE50N06FZC , DHE50N15 , DHE8004 , DHE80N08B22 , DHE8290 , BS170 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 , DHEZ24B31 , DHF035N04 .

History: SRC7N65TC | IPT007N06N

 

 
Back to Top

 


 
.