DHE85N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DHE85N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для DHE85N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE85N08 даташит

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dh85n08 dhf85n08 dhi85n08 dhe85n08.pdf pdf_icon

DHE85N08

DH85N08/DHF85N08/ DHI85N08/DHE85N08 100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 6.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Features Low on resistance Low gate ch

Другие IGBT... DH060N03R, DH060N07B, DH060N07D, DHE50N06FZC, DHE50N15, DHE8004, DHE80N08B22, DHE8290, BS170, DHE90N045R, DHE90N055R, DHE9Z24, DHESJ11N65, DHESJ13N65, DHESJ17N65, DHEZ24B31, DHF035N04