FDD14AN06LF085 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD14AN06LF085  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm

Encapsulados: TO252

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FDD14AN06LF085 datasheet

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FDD14AN06LF085

December 2010 FDD14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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FDD14AN06LF085

January 2004 FDD14AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

Otros transistores... FQT13N06, FQT13N06L, FQT1N60C, HUF76413DKF085, FQT1N80, HUF76407DKF085, FQT3P20, FQT4N20L, IRFP064N, FQT4N25, FQT5P10, FQT7N10, FDB14AN06LF085, FQT7N10L, FDP083N15A, FQU10N20C, FDP075N15A