Справочник MOSFET. FDD14AN06LF085

 

FDD14AN06LF085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD14AN06LF085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD14AN06LF085 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:372K  fairchild semi
 fdd14an06l f085.pdf pdf_icon

FDD14AN06LF085

December 2010FDD14AN06LA0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 4.2. Size:224K  fairchild semi
 fdd14an06la0.pdf pdf_icon

FDD14AN06LF085

January 2004FDD14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

Другие MOSFET... FQT13N06 , FQT13N06L , FQT1N60C , HUF76413DKF085 , FQT1N80 , HUF76407DKF085 , FQT3P20 , FQT4N20L , 8205A , FQT4N25 , FQT5P10 , FQT7N10 , FDB14AN06LF085 , FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A .

History: BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.