FDD14AN06LF085 - описание и поиск аналогов

 

FDD14AN06LF085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDD14AN06LF085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FDD14AN06LF085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD14AN06LF085 даташит

 4.1. Size:372K  fairchild semi
 fdd14an06l f085.pdf pdf_icon

FDD14AN06LF085

December 2010 FDD14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

 4.2. Size:224K  fairchild semi
 fdd14an06la0.pdf pdf_icon

FDD14AN06LF085

January 2004 FDD14AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m Features Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

Другие MOSFET... FQT13N06 , FQT13N06L , FQT1N60C , HUF76413DKF085 , FQT1N80 , HUF76407DKF085 , FQT3P20 , FQT4N20L , IRFP064N , FQT4N25 , FQT5P10 , FQT7N10 , FDB14AN06LF085 , FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.