DHB9Z24 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHB9Z24  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO251

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DHB9Z24 datasheet

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DHB9Z24

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24 DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z24 20A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =58.5m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -20A D 2 Features Fast switching Low on resistance

Otros transistores... DHS021N04D, DHS021N04E, DHS021N04P, DHS022N06, DHS022N06E, DHB8290, DHB90N03B17, DHB90N045R, 8N65, DHBSJ11N65, DHBSJ13N65, DHBSJ5N65, DHBSJ7N65, DHBZ24B31, DHD015N06, DHD035N04, DHD100N03B13