DHB9Z24 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DHB9Z24
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для DHB9Z24
DHB9Z24 Datasheet (PDF)
dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z2420A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =58.5mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -20AD2 Features Fast switching Low on resistance
Другие MOSFET... DHS021N04D , DHS021N04E , DHS021N04P , DHS022N06 , DHS022N06E , DHB8290 , DHB90N03B17 , DHB90N045R , IRF520 , DHBSJ11N65 , DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 .
History: DHS022N06 | CJPF04N65A | HGN115N15S | FQB13N50CTM
History: DHS022N06 | CJPF04N65A | HGN115N15S | FQB13N50CTM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
Popular searches
k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont