DHBZ24B31 Todos los transistores

 

DHBZ24B31 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHBZ24B31
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 92.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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DHBZ24B31 Datasheet (PDF)

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 dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf pdf_icon

DHBZ24B31

DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B3130A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 24mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 30AD2 Features Low on resist

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History: 7NM65G-TN3-R | IPA50R399CP | QM2411J | 2SK2595 | TSM2313CX | DMT6009LSS | FMV05N60E

 

 
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