Справочник MOSFET. DHBZ24B31

 

DHBZ24B31 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHBZ24B31
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 92.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DHBZ24B31

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHBZ24B31 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1426K  cn wxdh
 dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf pdf_icon

DHBZ24B31

DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B3130A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 24mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 30AD2 Features Low on resist

Другие MOSFET... DHB8290 , DHB90N03B17 , DHB90N045R , DHB9Z24 , DHBSJ11N65 , DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , 2N7002 , DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R .

History: AP1R803GMT-HF | CSD85312Q3E | HM4886E

 

 
Back to Top

 


 
.