DHD015N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHD015N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
DHD015N06 Datasheet (PDF)
dhd015n06.pdf

DHD015N0660A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhanced vdmosfets used advanced trench2 DV = 60VDSStechnology design, provided excellent Rdson and low gatecharge. Which accords with the RoHS standard.GR = 10.5mDS(on) (TYP)13 S2 FeaturesI =60AD Fast switching Low on resistance(Rdson15m) Low gate charge(Typ:
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHD50N03 | DHD3N90 | DHD3205A | DHD16N06 | DHD100N03B13 | DHD035N04 | DHD015N06 | DHBZ24B31 | DHBSJ7N65 | DHBSJ5N65 | DHBSJ13N65 | DHBSJ11N65 | DHB9Z24 | DHB90N045R | DHB90N03B17 | DHB8290
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