DHD015N06 Todos los transistores

 

DHD015N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHD015N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DHD015N06 PDF Specs

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DHD015N06

DHD015N06 60A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The N-channel enhanced vdmosfets used advanced trench 2 D V = 60V DSS technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. G R = 10.5m DS(on) (TYP) 1 3 S 2 Features I =60A D Fast switching Low on resistance(Rdson 15m ) Low gate charge(Typ ... See More ⇒

Otros transistores... DHB90N03B17 , DHB90N045R , DHB9Z24 , DHBSJ11N65 , DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , AOD4184A , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R , DHF16N06 .

History: IRFP443

 

 
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