DHD015N06 Todos los transistores

 

DHD015N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHD015N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

DHD015N06 Datasheet (PDF)

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DHD015N06

DHD015N0660A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhanced vdmosfets used advanced trench2 DV = 60VDSStechnology design, provided excellent Rdson and low gatecharge. Which accords with the RoHS standard.GR = 10.5mDS(on) (TYP)13 S2 FeaturesI =60AD Fast switching Low on resistance(Rdson15m) Low gate charge(Typ:

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