Справочник MOSFET. DHD015N06

 

DHD015N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHD015N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD015N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  cn wxdh
 dhd015n06.pdf pdf_icon

DHD015N06

DHD015N0660A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhanced vdmosfets used advanced trench2 DV = 60VDSStechnology design, provided excellent Rdson and low gatecharge. Which accords with the RoHS standard.GR = 10.5mDS(on) (TYP)13 S2 FeaturesI =60AD Fast switching Low on resistance(Rdson15m) Low gate charge(Typ:

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.