DHD50N03 Todos los transistores

 

DHD50N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHD50N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DHD50N03 PDF Specs

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DHD50N03

DHB50N03/DHD50N03 50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 6.0m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 50A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo... See More ⇒

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DHD50N03

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Otros transistores... DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , IRFZ44N , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , DHF8290 .

 

 
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