DHD50N03 - описание и поиск аналогов

 

DHD50N03 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHD50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHD50N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD50N03 технические параметры

 ..1. Size:891K  cn wxdh
dhb50n03 dhd50n03.pdfpdf_icon

DHD50N03

DHB50N03/DHD50N03 50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 6.0m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 50A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo

Другие MOSFET... DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , IRFZ44N , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , DHF8290 .

 

 
Back to Top

 


 
.