DHD50N03 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DHD50N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DHD50N03
DHD50N03 технические параметры
dhb50n03 dhd50n03.pdf
DHB50N03/DHD50N03 50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 6.0m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 50A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo
Другие MOSFET... DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , IRFZ44N , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , DHF8290 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P05 | AP40P04Q | AP40P04K | AP40P04G | AP40N100LK | AP40N100K | AP40N06K | AP4013S | AP4008SD | AP4688S | AP4606 | AP4580 | AP4435C | AP4410 | AP4409S | AP4407C
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630



