DHF16N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHF16N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 607 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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DHF16N06 Datasheet (PDF)
dh16n06 dhf16n06 dhi16n06 dhe16n06 dhb16n06 dhd16n06.pdf

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/DHE16N06/DHB16N06/DHD16N0661A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the2 DVDSS = 60Vself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andRDS = 16m(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard. ID = 61A3
Otros transistores... DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R , IRF740 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , DHF8290 , DHF85N08 , DHF90N045R .
History: UTC654 | SVF13N50S | AM30N08-80D | IPB015N08N5 | CS8N65F | AON7702B
History: UTC654 | SVF13N50S | AM30N08-80D | IPB015N08N5 | CS8N65F | AON7702B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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