DHF16N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DHF16N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 607 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для DHF16N06
DHF16N06 Datasheet (PDF)
dh16n06 dhf16n06 dhi16n06 dhe16n06 dhb16n06 dhd16n06.pdf

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/DHE16N06/DHB16N06/DHD16N0661A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the2 DVDSS = 60Vself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andRDS = 16m(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard. ID = 61A3
Другие MOSFET... DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R , IRF740 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , DHF8290 , DHF85N08 , DHF90N045R .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
Popular searches
a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent