DHP50P04 Todos los transistores

 

DHP50P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHP50P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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DHP50P04 Datasheet (PDF)

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DHP50P04

DHP50P0450A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDHP50P04 is an P-channel enhancement mode powerfield-effect transistor. Used advanced trench technologyV = -40VDSSdesign, provided excellent Rdson and low gate charge.R = 12mDS(on) (TYP)The package form is SOP-8. Which accords with the RoHSstandard.I = -50AD2 Features Low on resistance Lo

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