DHP50P04 Todos los transistores

 

DHP50P04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHP50P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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DHP50P04 datasheet

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DHP50P04

DHP50P04 50A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description DHP50P04 is an P-channel enhancement mode power field-effect transistor. Used advanced trench technology V = -40V DSS design, provided excellent Rdson and low gate charge. R = 12m DS(on) (TYP) The package form is SOP-8. Which accords with the RoHS standard. I = -50A D 2 Features Low on resistance Lo

Otros transistores... DHI90N055R , DHI9Z24 , DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , K4145 , DHS008N04P , DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F .

History: 8822 | APG40N10DF | SWP068R08ET | FQP4N20

 

 
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