DHP50P04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHP50P04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHP50P04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP50P04 даташит

 ..1. Size:705K  cn wxdh
 dhp50p04.pdf pdf_icon

DHP50P04

DHP50P04 50A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description DHP50P04 is an P-channel enhancement mode power field-effect transistor. Used advanced trench technology V = -40V DSS design, provided excellent Rdson and low gate charge. R = 12m DS(on) (TYP) The package form is SOP-8. Which accords with the RoHS standard. I = -50A D 2 Features Low on resistance Lo

Другие IGBT... DHI90N055R, DHI9Z24, DHISJ11N65, DHISJ13N65, DHISJ17N65, DHIZ24B31, DHP035N04, DHP150N03, K4145, DHS008N04P, DHS010N04U, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E, DH081N03F