Справочник MOSFET. DHP50P04

 

DHP50P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHP50P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DHP50P04

   - подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP50P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  cn wxdh
 dhp50p04.pdf pdf_icon

DHP50P04

DHP50P0450A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDHP50P04 is an P-channel enhancement mode powerfield-effect transistor. Used advanced trench technologyV = -40VDSSdesign, provided excellent Rdson and low gate charge.R = 12mDS(on) (TYP)The package form is SOP-8. Which accords with the RoHSstandard.I = -50AD2 Features Low on resistance Lo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.