Справочник MOSFET. DHP50P04

 

DHP50P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHP50P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 269 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DHP50P04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP50P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  cn wxdh
 dhp50p04.pdf pdf_icon

DHP50P04

DHP50P0450A 40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionDHP50P04 is an P-channel enhancement mode powerfield-effect transistor. Used advanced trench technologyV = -40VDSSdesign, provided excellent Rdson and low gate charge.R = 12mDS(on) (TYP)The package form is SOP-8. Which accords with the RoHSstandard.I = -50AD2 Features Low on resistance Lo

Другие MOSFET... DHI90N055R , DHI9Z24 , DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , IRFB3607 , DHS008N04P , DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F .

History: BSZ0501NSI | JMSH0805PK

 

 
Back to Top

 


 
.