DHS008N04P Todos los transistores

 

DHS008N04P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS008N04P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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DHS008N04P Datasheet (PDF)

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 dhs008n04p.pdf pdf_icon

DHS008N04P

DHS008N04P100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFETV = 40VDSSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR = 0.83mDS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the sameI = 300ASilicon limitedDtime. Which accords with the RoHS standard.PackageI =100A limitedD2 Feat

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