DHS008N04P Todos los transistores

 

DHS008N04P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS008N04P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de DHS008N04P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DHS008N04P datasheet

 ..1. Size:828K  cn wxdh
 dhs008n04p.pdf pdf_icon

DHS008N04P

DHS008N04P 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET V = 40V DSS utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R = 0.83m DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same I = 300A Silicon limited D time. Which accords with the RoHS standard. Package I =100A limited D 2 Feat

Otros transistores... DHI9Z24 , DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , DHP50P04 , 13N50 , DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I .

History: IXTX170P10P | FDY4000CZ | SST113 | KRF7604 | IXTY05N100 | IXTY01N100 | PTP4N60

 

 
Back to Top

 


 
.