DHS008N04P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHS008N04P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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DHS008N04P datasheet

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DHS008N04P

DHS008N04P 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET V = 40V DSS utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R = 0.83m DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same I = 300A Silicon limited D time. Which accords with the RoHS standard. Package I =100A limited D 2 Feat

Otros transistores... DHI9Z24, DHISJ11N65, DHISJ13N65, DHISJ17N65, DHIZ24B31, DHP035N04, DHP150N03, DHP50P04, SPP20N60C3, DHS010N04U, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E, DH081N03F, DH081N03I