Справочник MOSFET. DHS008N04P

 

DHS008N04P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS008N04P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2470 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для DHS008N04P

   - подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS008N04P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  cn wxdh
 dhs008n04p.pdf pdf_icon

DHS008N04P

DHS008N04P100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFETV = 40VDSSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR = 0.83mDS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the sameI = 300ASilicon limitedDtime. Which accords with the RoHS standard.PackageI =100A limitedD2 Feat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.