Справочник MOSFET. DHS008N04P

 

DHS008N04P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS008N04P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для DHS008N04P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS008N04P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  cn wxdh
 dhs008n04p.pdf pdf_icon

DHS008N04P

DHS008N04P100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFETV = 40VDSSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR = 0.83mDS(on) (TYP)provides excellent Rdson and low Gate charge at the sameI = 300ASilicon limitedDtime. Which accords with the RoHS standard.PackageI =100A limitedD2 Feat

Другие MOSFET... DHI9Z24 , DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , DHP50P04 , TK10A60D , DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I .

History: BSZ097N10NS5 | IPB45N04S4L-08 | BSZ0901NSI

 

 
Back to Top

 


 
.