DHS008N04P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHS008N04P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHS008N04P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS008N04P даташит

 ..1. Size:828K  cn wxdh
 dhs008n04p.pdf pdf_icon

DHS008N04P

DHS008N04P 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET V = 40V DSS utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R = 0.83m DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same I = 300A Silicon limited D time. Which accords with the RoHS standard. Package I =100A limited D 2 Feat

Другие IGBT... DHI9Z24, DHISJ11N65, DHISJ13N65, DHISJ17N65, DHIZ24B31, DHP035N04, DHP150N03, DHP50P04, 13N50, DHS010N04U, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E, DH081N03F, DH081N03I