DH850N10I Todos los transistores

 

DH850N10I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH850N10I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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Principales características: DH850N10I

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DH850N10I

DH850N10/DH850N10F/DH850N10I DH850N10E/DH850N10B/DH850N10D 15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =15A 2 Features Low on resistan

 6.1. Size:791K  cn wxdh
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DH850N10I

DH850N10B/DH850N10D 12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =12A 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switch

Otros transistores... DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I , NCEP15T14 , DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , DHB3205A .

 

 
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