DH850N10I Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH850N10I  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO262

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DH850N10I MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DH850N10I datasheet

 ..1. Size:1158K  cn wxdh
 dh850n10 dh850n10f dh850n10i dh850n10e dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10I

DH850N10/DH850N10F/DH850N10I DH850N10E/DH850N10B/DH850N10D 15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =15A 2 Features Low on resistan

 6.1. Size:791K  cn wxdh
 dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10I

DH850N10B/DH850N10D 12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =12A 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switch

Otros transistores... DHS010N04U, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E, DH081N03F, DH081N03I, NCEP15T14, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A