DH850N10I - описание и поиск аналогов

 

DH850N10I - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH850N10I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для DH850N10I

 

DH850N10I технические параметры

 ..1. Size:1158K  cn wxdh
 dh850n10 dh850n10f dh850n10i dh850n10e dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10I

DH850N10/DH850N10F/DH850N10I DH850N10E/DH850N10B/DH850N10D 15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =15A 2 Features Low on resistan

 6.1. Size:791K  cn wxdh
 dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10I

DH850N10B/DH850N10D 12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 86m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S ID =12A 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switch

Другие MOSFET... DHS010N04U , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I , NCEP15T14 , DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , DHB3205A .

 

 
Back to Top

 


 
.