DHB035N04 Todos los transistores

 

DHB035N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHB035N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 155 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 121 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

DHB035N04 Datasheet (PDF)

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 dh035n04 dhf035n04 dhi035n04 dhe035n04 dhb035n04 dhd035n04.pdf pdf_icon

DHB035N04

DH035N04/DHF035N04/DHI035N04/DHE035N04/DHB035N04/DHD035N04155A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets used advanced2 DV = 40VDSStrench technology design, provided excellent Rdson andlow gate charge. Which accords with the RoHS standard.R = 2.3mDS(on) (TYP)G12 Features I = 155AD3 S Fast switching High

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