DHB035N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB035N04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB035N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB035N04 даташит

 ..1. Size:1614K  cn wxdh
 dh035n04 dhf035n04 dhi035n04 dhe035n04 dhb035n04 dhd035n04.pdf pdf_icon

DHB035N04

DH035N04/DHF035N04/DHI035N04/ DHE035N04/DHB035N04/DHD035N04 155A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 40V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 2.3m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 155A D 3 S Fast switching High

Другие IGBT... DH081N03E, DH081N03F, DH081N03I, DH850N10I, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, AO4407, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06