DHB100N03B13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHB100N03B13
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 325 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 426 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de DHB100N03B13 MOSFET
DHB100N03B13 Datasheet (PDF)
dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 3.3mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Featur
Otros transistores... DH081N03F , DH081N03I , DH850N10I , DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 , CS150N03A8 , DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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