DHB100N03B13 - описание и поиск аналогов

 

DHB100N03B13 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHB100N03B13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 325 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 426 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для DHB100N03B13

 

DHB100N03B13 технические параметры

 ..1. Size:1507K  cn wxdh
 dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf pdf_icon

DHB100N03B13

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/ DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13 100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 3.3m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Featur

Другие MOSFET... DH081N03F , DH081N03I , DH850N10I , DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 , BS170 , DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D .

History: FQA19N60 | SM6F25NSUB

 

 
Back to Top

 


 
.