DHB100N03B13 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB100N03B13  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 325 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 426 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB100N03B13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB100N03B13 даташит

 ..1. Size:1507K  cn wxdh
 dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf pdf_icon

DHB100N03B13

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/ DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13 100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 3.3m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Featur

Другие IGBT... DH081N03F, DH081N03I, DH850N10I, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, BS170, DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D