DHB3205A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHB3205A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO251
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DHB3205A datasheet
dh3205a dhf3205a dhi3205a dhe3205a dhb3205a dhd3205a.pdf
DH3205A/DHF3205A/DHI3205A/ DHE3205A/DHB3205A/DHD3205A 100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 6.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Features Low on resistanc
Otros transistores... DH850N10I, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, IRFP250, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D, DH066N06E, DH072N07
History: PTA20N40B | SI4836DY
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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