DHB3205A Todos los transistores

 

DHB3205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHB3205A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 81 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

DHB3205A Datasheet (PDF)

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 dh3205a dhf3205a dhi3205a dhe3205a dhb3205a dhd3205a.pdf pdf_icon

DHB3205A

DH3205A/DHF3205A/DHI3205A/DHE3205A/DHB3205A/DHD3205A100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistanc

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