DHB3205A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHB3205A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHB3205A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB3205A даташит

 ..1. Size:1504K  cn wxdh
 dh3205a dhf3205a dhi3205a dhe3205a dhb3205a dhd3205a.pdf pdf_icon

DHB3205A

DH3205A/DHF3205A/DHI3205A/ DHE3205A/DHB3205A/DHD3205A 100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 6.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Features Low on resistanc

Другие IGBT... DH850N10I, DH85N08, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, IRFP250, DHB3N90, DHB50N03, DHB50N06FZC, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D, DH066N06E, DH072N07