Справочник MOSFET. DHB3205A

 

DHB3205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHB3205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DHB3205A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB3205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1504K  cn wxdh
 dh3205a dhf3205a dhi3205a dhe3205a dhb3205a dhd3205a.pdf pdf_icon

DHB3205A

DH3205A/DHF3205A/DHI3205A/DHE3205A/DHB3205A/DHD3205A100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistanc

Другие MOSFET... DH850N10I , DH85N08 , DH90N045R , DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , STF13NM60N , DHB3N90 , DHB50N03 , DHB50N06FZC , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D , DH066N06E , DH072N07 .

History: VS3610GPMT | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | IXFK120N25 | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.