DHB50N06FZC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHB50N06FZC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO251

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DHB50N06FZC datasheet

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DHB50N06FZC

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DHB50N06FZC

DHB50N03/DHD50N03 50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 6.0m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 50A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo

Otros transistores... DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90, DHB50N03, 10N65, DHB80N08B22, DH066N06, DH066N06D, DH066N06E, DH072N07, DH072N07B, DH072N07D, DH072N07E