DHB50N06FZC Todos los transistores

 

DHB50N06FZC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHB50N06FZC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

DHB50N06FZC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHB50N06FZC

DH50N06FZC/DHF50N06FZC/DHI50N06FZC/DHE50N06FZC/DHB50N06FZC/DHD50N06FZC50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used2 DVDSS = 60Vadvanced trench technology design, provided excellentRDSON and low gate charge. Which accords with theRDS = 18m(on) (TYP)GRoHS standard.1ID = 50A3 S2 Features Fast Switching

 7.1. Size:891K  cn wxdh
 dhb50n03 dhd50n03.pdf pdf_icon

DHB50N06FZC

DHB50N03/DHD50N0350A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets used advanced2 DV = 30VDSStrench technology design, provided excellent Rdson andlow gate charge. Which accords with the RoHS standard.R = 6.0mDS(on) (TYP)G12 Features I = 50A3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo

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