Справочник MOSFET. DHB50N06FZC

 

DHB50N06FZC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHB50N06FZC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DHB50N06FZC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHB50N06FZC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHB50N06FZC

DH50N06FZC/DHF50N06FZC/DHI50N06FZC/DHE50N06FZC/DHB50N06FZC/DHD50N06FZC50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used2 DVDSS = 60Vadvanced trench technology design, provided excellentRDSON and low gate charge. Which accords with theRDS = 18m(on) (TYP)GRoHS standard.1ID = 50A3 S2 Features Fast Switching

 7.1. Size:891K  cn wxdh
 dhb50n03 dhd50n03.pdf pdf_icon

DHB50N06FZC

DHB50N03/DHD50N0350A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets used advanced2 DV = 30VDSStrench technology design, provided excellent Rdson andlow gate charge. Which accords with the RoHS standard.R = 6.0mDS(on) (TYP)G12 Features I = 50A3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo

Другие MOSFET... DH90N055R , DH9Z24 , DHB035N04 , DHB100N03B13 , DHB16N06 , DHB3205A , DHB3N90 , DHB50N03 , STP80NF70 , DHB80N08B22 , DH066N06 , DH066N06D , DH066N06E , DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , DH072N07E .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.