DH075N08E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH075N08E 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 282 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0081 Ohm
Encapsulados: TO263
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DH075N08E datasheet
dh075n08 dh075n08e.pdf
DH075N08&DH075N08E 95A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 7.1m TO-263 DS(on) (TYP) standard. G 1 R = 7.5m TO-220 DS(on) (TYP) 3 S 2 Features I = 95A D Low
Otros transistores... DH066N06E, DH072N07, DH072N07B, DH072N07D, DH072N07E, DH072N07F, DH072N07I, DH075N08, 8N60, DH081N03, DH081N03B, DH081N03D, DHD7N65, DHD80N03, DHD80N08, DHD9Z24, DHDSJ11N65
History: AFP1413
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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