DH075N08E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH075N08E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH075N08E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH075N08E даташит

 ..1. Size:1011K  cn wxdh
 dh075n08 dh075n08e.pdf pdf_icon

DH075N08E

DH075N08&DH075N08E 95A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 7.1m TO-263 DS(on) (TYP) standard. G 1 R = 7.5m TO-220 DS(on) (TYP) 3 S 2 Features I = 95A D Low

Другие IGBT... DH066N06E, DH072N07, DH072N07B, DH072N07D, DH072N07E, DH072N07F, DH072N07I, DH075N08, 8N60, DH081N03, DH081N03B, DH081N03D, DHD7N65, DHD80N03, DHD80N08, DHD9Z24, DHDSJ11N65