DH075N08E - описание и поиск аналогов

 

DH075N08E - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH075N08E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для DH075N08E

 

DH075N08E технические параметры

 ..1. Size:1011K  cn wxdh
 dh075n08 dh075n08e.pdf pdf_icon

DH075N08E

DH075N08&DH075N08E 95A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 7.1m TO-263 DS(on) (TYP) standard. G 1 R = 7.5m TO-220 DS(on) (TYP) 3 S 2 Features I = 95A D Low

Другие MOSFET... DH066N06E , DH072N07 , DH072N07B , DH072N07D , DH072N07E , DH072N07F , DH072N07I , DH075N08 , 8N60 , DH081N03 , DH081N03B , DH081N03D , DHD7N65 , DHD80N03 , DHD80N08 , DHD9Z24 , DHDSJ11N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.