Справочник MOSFET. DH075N08E

 

DH075N08E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH075N08E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 97 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH075N08E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH075N08E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1011K  cn wxdh
 dh075n08 dh075n08e.pdf pdf_icon

DH075N08E

DH075N08&DH075N08E95A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 7.1mTO-263DS(on) (TYP)standard.G1R = 7.5mTO-220DS(on) (TYP)3 S2 FeaturesI = 95AD Low

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.