DHD7N65 Todos los transistores

 

DHD7N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHD7N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DHD7N65

 

Principales características: DHD7N65

 ..1. Size:1276K  cn wxdh
 dhd7n65.pdf pdf_icon

DHD7N65

DHD7N65 7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 650V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 7.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) =1.2 Fast switching ESD improved capabil

Otros transistores... DH072N07E , DH072N07F , DH072N07I , DH075N08 , DH075N08E , DH081N03 , DH081N03B , DH081N03D , IRFB31N20D , DHD80N03 , DHD80N08 , DHD9Z24 , DHDSJ11N65 , DHDSJ13N65 , DHDSJ5N65 , DHDSJ7N65 , DHDZ24B31 .

History: PMV20XNEA

 

 
Back to Top

 


 
.