DHD7N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHD7N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHD7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD7N65 даташит

 ..1. Size:1276K  cn wxdh
 dhd7n65.pdf pdf_icon

DHD7N65

DHD7N65 7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 650V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 7.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) =1.2 Fast switching ESD improved capabil

Другие IGBT... DH072N07E, DH072N07F, DH072N07I, DH075N08, DH075N08E, DH081N03, DH081N03B, DH081N03D, IRFB31N20D, DHD80N03, DHD80N08, DHD9Z24, DHDSJ11N65, DHDSJ13N65, DHDSJ5N65, DHDSJ7N65, DHDZ24B31