Справочник MOSFET. DHD7N65

 

DHD7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHD7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHD7N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  cn wxdh
 dhd7n65.pdf pdf_icon

DHD7N65

DHD7N657A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 650Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 7.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=1.2 Fast switching ESD improved capabil

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.