Справочник MOSFET. DHD7N65

 

DHD7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHD7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHD7N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  cn wxdh
 dhd7n65.pdf pdf_icon

DHD7N65

DHD7N657A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 650Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 7.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=1.2 Fast switching ESD improved capabil

Другие MOSFET... DH072N07E , DH072N07F , DH072N07I , DH075N08 , DH075N08E , DH081N03 , DH081N03B , DH081N03D , IRF730 , DHD80N03 , DHD80N08 , DHD9Z24 , DHDSJ11N65 , DHDSJ13N65 , DHDSJ5N65 , DHDSJ7N65 , DHDZ24B31 .

 

 
Back to Top

 


 
.