DHD9Z24 Todos los transistores

 

DHD9Z24 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHD9Z24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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Principales características: DHD9Z24

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 dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf pdf_icon

DHD9Z24

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24 DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z24 20A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhanced vdmosfets, used advanced V = -60V DSS trench technology and design, provide to excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R =58.5m DS(on) (TYP) RoHS standard. I = -20A D 2 Features Fast switching Low on resistance

Otros transistores... DH075N08 , DH075N08E , DH081N03 , DH081N03B , DH081N03D , DHD7N65 , DHD80N03 , DHD80N08 , 7N60 , DHDSJ11N65 , DHDSJ13N65 , DHDSJ5N65 , DHDSJ7N65 , DHDZ24B31 , DHE029N08 , DHE035N04 , DHE100N03B13 .

History: DSG070N10L3

 

 
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