Справочник MOSFET. DHD9Z24

 

DHD9Z24 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHD9Z24
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHD9Z24

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD9Z24 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  cn wxdh
 dh9z24 dhf9z24 dhi9z24 dhe9z24 dhb9z24 dhd9z24.pdf pdf_icon

DHD9Z24

DH9Z24/DHF9Z24/DHI9Z24DHE9Z24/DHB9Z24/DHD9Z2420A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =58.5mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -20AD2 Features Fast switching Low on resistance

Другие MOSFET... DH075N08 , DH075N08E , DH081N03 , DH081N03B , DH081N03D , DHD7N65 , DHD80N03 , DHD80N08 , MMIS60R580P , DHDSJ11N65 , DHDSJ13N65 , DHDSJ5N65 , DHDSJ7N65 , DHDZ24B31 , DHE029N08 , DHE035N04 , DHE100N03B13 .

 

 
Back to Top

 


 
.