DHE3N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHE3N90  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm

Encapsulados: TO263

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DHE3N90 datasheet

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DHE3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/ DHE3N90/DHB3N90/DHD3N90 3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 900V DSS self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 4.7 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 3

Otros transistores... DHDZ24B31, DHE029N08, DHE035N04, DHE100N03B13, DHE10H035R, DHE10H037R, DHE16N06, DHE3205A, AO4407A, DHFSJ8N65, DHFZ24B31, DHI029N08, DHI035N04, DHI100N03B13, DHI10H035R, DHI10H037R, DHI16N06