DHE3N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

DHE3N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHE3N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для DHE3N90

 

DHE3N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1394K  cn wxdh
 dh3n90 dhf3n90 dhi3n90 dhe3n90 dhb3n90 dhd3n90.pdf pdf_icon

DHE3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/ DHE3N90/DHB3N90/DHD3N90 3A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 900V DSS self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 4.7 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 3

Другие MOSFET... DHDZ24B31 , DHE029N08 , DHE035N04 , DHE100N03B13 , DHE10H035R , DHE10H037R , DHE16N06 , DHE3205A , AO4407A , DHFSJ8N65 , DHFZ24B31 , DHI029N08 , DHI035N04 , DHI100N03B13 , DHI10H035R , DHI10H037R , DHI16N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.