DHI50N15 Todos los transistores

 

DHI50N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHI50N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 349 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DHI50N15

 

Principales características: DHI50N15

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 dh50n15 dhf50n15 dhi50n15 dhe50n15.pdf pdf_icon

DHI50N15

DH50N15/DHF50N15/ DHI50N15/DHE50N15 50A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets. used 2 D V = 150V DSS advanced trench process technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the R = 18m DS(on) (Type) G RoHS standard. 1 I = 50A 3 S D 2 Features Low on resistance Low

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 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHI50N15

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History: DHI8290 | DHD90N03B17 | DHI50N06FZC

 

 
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