Справочник MOSFET. DHI50N15

 

DHI50N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI50N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 349 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI50N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI50N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1399K  cn wxdh
 dh50n15 dhf50n15 dhi50n15 dhe50n15.pdf pdf_icon

DHI50N15

DH50N15/DHF50N15/DHI50N15/DHE50N1550A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets. used2 DV = 150VDSSadvanced trench process technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with theR = 18mDS(on) (Type)GRoHS standard.1I = 50A3 S D2 Features Low on resistance Low

 8.1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHI50N15

DH50N06FZC/DHF50N06FZC/DHI50N06FZC/DHE50N06FZC/DHB50N06FZC/DHD50N06FZC50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used2 DVDSS = 60Vadvanced trench technology design, provided excellentRDSON and low gate charge. Which accords with theRDS = 18m(on) (TYP)GRoHS standard.1ID = 50A3 S2 Features Fast Switching

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.