DHI8290 Todos los transistores

 

DHI8290 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHI8290
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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Principales características: DHI8290

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 dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf pdf_icon

DHI8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/ DHE8290/DHB8290/DHD8290 70A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 82V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 9.5m DS(on) (Type) G standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Hig

Otros transistores... DHI10H037R , DHI16N06 , DHI3205A , DHI3N90 , DHI50N06FZC , DHI50N15 , DHI8004 , DHI80N08B22 , IRF640 , DHI85N08 , DHD8290 , DHD90N03B17 , DHD50N06FZC , DHD80N08B22 , DHD90N045R , DHS025N06 , DHS025N06E .

History: DHI50N15 | DHD50N06FZC

 

 
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