Справочник MOSFET. DHI8290

 

DHI8290 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI8290
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI8290

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI8290 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1259K  cn wxdh
 dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf pdf_icon

DHI8290

DH8290/DHF8290/DHI8290/DHE8290/DHB8290/DHD829070A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 82VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 9.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 70AD3 S2 Features Fast switching Hig

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.